Samsung hat die Fertigung von DDR4-Speichermodulen für Enterprise-Server und Rechenzentren mit einer Kapazität von 128 GByte aufgenommen. Nach Unternehmensangaben handelt es sich um die branchenweit ersten „Through Silicon via“-Module (TSV) mit dieser Kapazität. Daten sollen sie mit einer Geschwindigkeit von bis zu 2400 MBit pro Sekunde übertragen.
Pro Modul verbaut Samsung 144-DDR4-Chips, die in 36 Paketen mit je 4 GByte RAM angeordnet sind. Jedes Paket wiederum enthält vier 8-GBit-Chips mit einer Strukturbreite von 20 Nanometern.
Dabei kommt die auch als Silizium-Durchkontaktierung bezeichnete TSV-Technik zum Einsatz. Während konventionelle Chip-Pakete Drahtverbindungen nutzen, werden die übereinander gelagerten TSV-Pakete von feinen Löchern durchzogen und vertikal durch Elektroden, die durch die Löcher geführt werden, verbunden. Samsung zufolge verbessert die Technik die Signalübertragung deutlich.
Samsung weist zudem darauf hin, dass es ein spezielles Moduldesign verwendet. Demnach besitzt jedes 4GByte-Paket einen eigenen Datenpuffer, der die Leistung des Moduls und auch den Energieverbrauch optimiert. Die 128 GByte großen DRR4-RDIMM-Module sollen den Energiebedarf um 50 Prozent senken im Vergleich zu den zuvor erhältlichen Modulen mit einer Kapazität von 64 GByte und herkömmlichen Drahtverbindungen.
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Das koreanische Unternehmen reagiert nach eigenen Angaben auf einen steigenden Bedarf an DRAM-Modulen mit hohen Kapazitäten mit einem weiteren Ausbau seiner Produktionskapazitäten im Bereich 8GBit-DRAM-Chips. Zudem kündigte es eine vollständige Palette von TSV-DRAM-Modulen an. Sie sollen als Premium-Speicherlösung in den kommenden Wochen zur Verfügung stehen.
Darüber hinaus arbeitet Samsung auch an Modulen, die Übertragungsraten von bis zu 2667 und 3200 MBit/s erlauben sollen. Auch Consumer-Produkte mit der TSV-Technik seien geplant.
